| 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响 |
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| 引用本文： | 杨秋旻,刘超,张家奇,崔利杰,曾一平.快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响[J].半导体技术,2013(2):110-113,125. |
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| 作者姓名： | 杨秋旻 刘超 张家奇 崔利杰 曾一平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065) |
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| 摘 要： | 研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退火前的5.3 nm下降至4.7 nm左右。对于450℃退火5 min的样品,其晶体质量与550℃退火1 min的样品相当,但RMS值下降到4.26 nm。ZnTe薄膜表面的In电极之间在未退火时呈高阻状态,在适当条件下退火后In电极之间可以导通,且随着退火温度的降低,所需的退火时间将延长。但550℃退火时In电极的外观形貌发生改变且不能导通。
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| 关 键 词： | 碲化锌 快速退火 晶体质量 表面形貌 铟电极 |
Effects of Rapid Thermal Process on the Properties of ZnTe Epilayer and In Electrodes |
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| Yang Qiumin,Liu Chao,Zhang Jiaqi,Cui Lijie,Zeng Yiping.Effects of Rapid Thermal Process on the Properties of ZnTe Epilayer and In Electrodes[J].Semiconductor Technology,2013(2):110-113,125. |
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| Authors: | Yang Qiumin Liu Chao Zhang Jiaqi Cui Lijie Zeng Yiping |
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| Affiliation: | (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083,China) |
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| Abstract: | |
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