| p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响 |
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| 引用本文： | 孙丽,张江勇,陈明,梁明明,翁国恩,张保平.p-GaN退火对InGaN量子阱光学性能的影响[J].半导体技术,2013(1):35-39. |
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| 作者姓名： | 孙丽 张江勇 陈明 梁明明 翁国恩 张保平 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理与机电工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(10974165,91023048,61106044);高等学校博士学科点专项科研基金(20110121110029) |
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| 摘 要： | 近年来,N2退火和O2退火均被用于激活p-GaN中的Mg受主以提高p-GaN中的空穴浓度。基于两种退火技术,系统地研究了N2退火和O2退火对LED样品电学性能及光学性能的影响。电流电压特性的测试结果显示,在较低温度(500℃)下O2退火就可以达到与N2高温退火(800℃)相似的电学特性。变温光致发光测试表明,N2高温退火会在InGaN量子阱中形成In团簇,In团簇作为深的势阱增加了对载流子的束缚,能够将载流子更好地局限在势阱中。然而In团簇形成的同时也伴随着大量位错的产生,使其InGaN量子阱中的位错密度大幅度提高,因此室温下N2退火样品的辐射复合效率低于O2退火样品的辐射复合效率。
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| 关 键 词： | p型氮化镓 热退火 变温光致发光 铟团簇 位错密度 |
Influence of p-GaN Annealing on Optical Properties of InGaN MQWs |
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| Sun Li,Zhang Jiangyong,Chen Ming,Liang Mingming,Weng Guoen,Zhang Baoping.Influence of p-GaN Annealing on Optical Properties of InGaN MQWs[J].Semiconductor Technology,2013(1):35-39. |
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| Authors: | Sun Li Zhang Jiangyong Chen Ming Liang Mingming Weng Guoen Zhang Baoping |
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| Affiliation: | (School of Physics and Mechanical & Electrical Engineering,Xiamen University,Xiamen 361005,China) |
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