| S波段SiC MESFET多胞大功率合成技术研究 |
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| 引用本文： | 付兴昌,默江辉,李亮,李佳,冯志红,蔡树军,杨克武.S波段SiC MESFET多胞大功率合成技术研究[J].半导体技术,2012(10):764-767. |
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| 作者姓名： | 付兴昌 默江辉 李亮 李佳 冯志红 蔡树军 杨克武 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所;专用集成电路重点实验室 |
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| 摘 要： | 优化了芯片版图结构,采用常规工艺制作了SiC MESFET大栅宽芯片。优化了管壳内芯片装配形式,采用电容及电感匹配网络提高了器件阻抗,提高了器件增益。设计并优化了3 dB电桥输入及输出匹配电路,保证了器件最大功率输出及工作稳定性。最终采用管壳内四胞合成及外电路3 dB电桥合成的方法,突破了S波段SiC MESFET多胞大功率合成技术,实现了器件脉冲输出功率达百瓦量级。四胞26 mm大栅宽芯片合成封装后的器件,在测试频率2 GHz、工作电压VDS为56 V、脉宽为50μs、占空比为1.5%工作时,脉冲输出功率为300.3 W,增益为9.2 dB,漏极效率为36.6%,功率附加效率为32.2%。
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| 关 键 词： | 碳化硅金属半导体场效应晶体管 内匹配 大功率 高增益 dB电桥 |
Research on Multi Cells High Power Composition of S-Band SiC MESFET |
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| Fu Xingchang,Mo Jianghui,Li Liang,Li Jia,Feng Zhihong,Cai Shujun,Yang Kewu.Research on Multi Cells High Power Composition of S-Band SiC MESFET[J].Semiconductor Technology,2012(10):764-767. |
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| Authors: | Fu Xingchang Mo Jianghui Li Liang Li Jia Feng Zhihong Cai Shujun Yang Kewu |
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| Affiliation: | 1(1.The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China; 2.Science and Technology on ASIC Laboratory,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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