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CMOS数字热真空传感器芯片设计
引用本文:李金凤,刘沁,张治国,曹顺.CMOS数字热真空传感器芯片设计[J].半导体技术,2012(12):905-908.
作者姓名:李金凤  刘沁  张治国  曹顺
作者单位:沈阳化工大学信息工程学院;沈阳仪表科学研究院传感器国家工程研究中心
基金项目:辽宁省教育厅科研项目资助(L2011064)
摘    要:基于标准CMOS工艺设计了一款集成热真空传感器、运算放大器、逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)、数字信号处理电路的传感器系统。工作在恒电流模式的传感器,气压敏感区间为1~105Pa。运算放大器(OPAMP)的输入级采用互补差分对获得轨至轨的共模输入范围。为满足精度要求,对SAR ADC中数模转换器电容阵列进行优化设计,并采用输出失调存储技术消除比较器的失调电压。数字电路采用查表法将电压信号变换为气压值。结果表明:运算放大器能无失真地驱动200Ω电阻,模数转换器的有效位为9.5 bit。运算放大器、模数转换器、数字信号处理电路性能良好,满足传感器系统要求。

关 键 词:集成传感器  热真空传感器  模数转换器  运算放大器  逐次逼近寄存器

Design of CMOS Digital Thermal Vacuum Sensor Chip
Li Jinfeng,Liu Qin,Zhang Zhiguo,Cao Shun.Design of CMOS Digital Thermal Vacuum Sensor Chip[J].Semiconductor Technology,2012(12):905-908.
Authors:Li Jinfeng  Liu Qin  Zhang Zhiguo  Cao Shun
Affiliation:1(1.College of Information Engineering,Shenyang University of Chemical Technology,Shenyang 110142,China; 2.Shenyang Academy of Instrumentation Science,National Engineering Research Center for Transducer,Shenyang 110179,China)
Abstract:
Keywords:
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