氮化硅表面钝化及等离子体腐蚀技术在中小规模电路生产中的应用

引言 氮化硅膜是一种比较理想的表面钝化材料,受到了普遍地重视。但是由于纯度较高的Si_3N_4直接光刻比较困难,因此使用还不普遍。我们利用等离子体腐蚀技术直接刻蚀Si_3N_4并将这一技术用于中小规模电路的生产。一年来组件的成品率和可靠性均有明显的提高,为中小规模集成电路使用Si_3N_4表面钝化作了初步的工作。