| 硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展 |
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| 引用本文： | 张理嫩,刘超,崔利杰,曾一平.硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展[J].半导体技术,2014(4). |
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| 作者姓名： | 张理嫩 刘超 崔利杰 曾一平 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61376058) |
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| 摘 要： | Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述了MBE生长的Si基高质量CdTe和CdZnTe单晶薄膜以及对其进行n型和p型掺杂实验的研究进展。着重介绍了美国EPIR公司对以p-Si为衬底的CdZnTe单结电池和CdZnTe/Si双结电池原型器件的研究成果,其光伏转换效率分别达到了16%和17%,分析了研制高效率Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池面临的技术问题和提高电池效率的可能途径。
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| 关 键 词： | Ⅱ-Ⅵ族化合物材料 硅基 多结(MJ)太阳电池 分子束外延(MBE) 光伏效率 |
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