| 新型垂直腔面发射激光器的研制 |
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| 引用本文： | 冯源,刘国军,郝永芹,王勇,晏长岭,赵英杰,芦鹏,李洋.新型垂直腔面发射激光器的研制[J].半导体技术,2014,39(11). |
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| 作者姓名： | 冯源 刘国军 郝永芹 王勇 晏长岭 赵英杰 芦鹏 李洋 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61376045);吉林省自然科学基金资助项目(201215134) |
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| 摘 要： | 热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,传统结构VCSEL的阈值电流为11.5 mA,当注入电流为34 mA时,最大输出功率达到7.3 mW;新结构器件的阈值电流为9 mA,当注入电流为35 mA时,最大输出功率达到10.2 mW;新结构的阈值电流降低了21.7%,最大输出功率提高了28%。结果表明,这种内腔接触式电极结构有望改善器件的热特性和光电性能。
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| 关 键 词： | 内腔接触式电极 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 阈值电流 光电特性 |
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