| 退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响 |
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| 引用本文： | 郭艳敏,房玉龙,尹甲运,刘沛,张志荣,王波,高楠,冯志红.退火气氛对p-GaN材料及其欧姆接触性能的影响[J].半导体技术,2018,43(7):529-533. |
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| 作者姓名： | 郭艳敏 房玉龙 尹甲运 刘沛 张志荣 王波 高楠 冯志红 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路重点实验室,石家庄 050051;中国航天标准化与产品保证研究院,北京,100071 |
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| 基金项目： | 国家安全重大基础研究资助项目(1603613284-3) |
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| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备了Mg掺杂的p-GaN外延材料,并在不同气氛下对其进行退火,系统研究了不同退火气氛对p-GaN材料性质及欧姆接触性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)对样品进行测试和表征.结果表明,不同气氛退火均能降低p-GaN材料的XRD半高宽,改善其晶体质量,并提高其迁移率;此外,相较于纯N2和纯O2,空气气氛退火的p-GaN材料的空穴浓度最高,欧姆接触性能最优,其比接触电阻率可低至4.49×10-4 Ω·cm2.分析认为:空气气氛退火减少了p-GaN中的氮空位,降低了自补偿效应;空气中的O2与H结合,抑制了H的钝化效应,提高了Mg的激活率,进而改善了p-GaN材料的欧姆接触特性.
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| 关 键 词： | p-GaN 快速退火 欧姆接触 退火气氛 比接触电阻率 |
Effect of Annealing Ambient on p-GaN Material and Its Ohmic Contact Characteristics |
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| Guo Yanmin,Fang Yulong,Yin Jiayun,Liu Pei,Zhang Zhirong,Wang Bo,Gao Nan,Feng Zhihong.Effect of Annealing Ambient on p-GaN Material and Its Ohmic Contact Characteristics[J].Semiconductor Technology,2018,43(7):529-533. |
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| Authors: | Guo Yanmin Fang Yulong Yin Jiayun Liu Pei Zhang Zhirong Wang Bo Gao Nan Feng Zhihong |
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