| 8.9W/mm高功率密度SiC MESFET器件研制 |
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| 引用本文： | 李亮,默江辉,邓小川,李佳,冯志红,崔玉兴,付兴昌,蔡树军.8.9W/mm高功率密度SiC MESFET器件研制[J].半导体技术,2013(1):20-24. |
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| 作者姓名： | 李亮 默江辉 邓小川 李佳 冯志红 崔玉兴 付兴昌 蔡树军 |
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| 作者单位： | 专用集成电路重点实验室;电子科技大学;中国电子科技集团公司第十三研究所 |
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| 摘 要： | 基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最终得到了不同栅宽的SiC MESFET芯片。突破了大栅宽芯片流片、封装及大功率脉冲测试技术,研制成功了微波功率特性良好的MESFET器件。微波测试结果表明,在2 GHz脉冲条件下,0.25 mm栅宽器件,输出功率密度达到8.96 W/mm,功率附加效率达到30%。单胞20 mm大栅宽器件,3.4 GHz脉冲条件下,功率输出达到94 W,功率附加效率达到22.4%。
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| 关 键 词： | 碳化硅 微波 金属半导体场效应晶体管 功率密度 脉冲 |
Research on S-Band SiC MESFET with High Power Density of 8.9 W/mm |
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| Li Liang,Mo Jianghui,Deng Xiaochuan,Li Jia,Feng Zhihong,Cui Yuxing,Fu Xingchang,Cai Shujun.Research on S-Band SiC MESFET with High Power Density of 8.9 W/mm[J].Semiconductor Technology,2013(1):20-24. |
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| Authors: | Li Liang Mo Jianghui Deng Xiaochuan Li Jia Feng Zhihong Cui Yuxing Fu Xingchang Cai Shujun |
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| Affiliation: | 1(1.Science and Technology on ASIC Laboratory,Shijiazhuang 050051,China; 2.The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China; 3.University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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