| TSV结构热机械可靠性研究综述 |
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| 引用本文： | 秦飞,王珺,万里兮,于大全,曹立强,朱文辉.TSV结构热机械可靠性研究综述[J].半导体技术,2012,37(11):825-831. |
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| 作者姓名： | 秦飞 王珺 万里兮 于大全 曹立强 朱文辉 |
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| 作者单位： | 北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,北京,100124;复旦大学材料学院,上海,200433;中国科学院微电子研究所,北京,100029;北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,北京 100124;天水华天科技股份有限公司封装技术研究院,甘肃 天水 741000;昆山西钛微电子科技有限公司,江苏昆山215300 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11272018);中国TSV技术攻关联合体第1期课题;北京市教委科技创新平台项目(PXM2012_014204_00_000169) |
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| 摘 要： | 硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高,引发严重的热机械可靠性问题。这些可靠性问题严重影响TSV技术的发展和应用,也制约了基于TSV技术封装产品的市场化进程。针对TSV结构的热机械可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题:电镀填充及退火工艺过程残余应力测量、TSV界面完整性的量化评价方法、热载荷和电流作用下TSV-Cu的胀出变形计算模型问题等。
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| 关 键 词： | 硅通孔 可靠性 热失配 应力 界面完整性 |
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