ICP-AES测定三甲基铝中金属杂质的研究 |
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引用本文: | 王春梅,张淑珍,吴琼.ICP-AES测定三甲基铝中金属杂质的研究[J].半导体技术,1997(4):53-55. |
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作者姓名: | 王春梅 张淑珍 吴琼 |
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作者单位: | 电子工业部第四十六研究所 |
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摘 要: | MO(金属有机物)源是MOCVD技术的重要原料,对MO源中的金属杂质进行了分析研究。着重讨论了样品的制备、酸度对分析元素谱线强度的影响、基体铝对杂质元素谱线背景影响和光谱谱线干扰,以及基体铝对分析元素谱线强度的影响,做了回收实验,最后采用基体匹配法对三甲基铝中的金属杂质进行了测定。将不同实验室的分析数据进行对比,结果令人满意。
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关 键 词: | 三甲基铝 等离子体发射光谱 杂质 铁 铜 |
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