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2~4 GHz连续波120 W GaN内匹配功率器件
引用本文:张一尘,吴景峰,银军,斛彦生. 2~4 GHz连续波120 W GaN内匹配功率器件[J]. 半导体技术, 2021, 46(12): 937-941,961. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.12.005
作者姓名:张一尘  吴景峰  银军  斛彦生
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051
摘    要:基于自主研制的0.25 μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高至50 Ω,最终实现了连续波120 W宽带GaN功率器件.测试结果表明,该器件在36 V漏极工作电压和-2.0V栅极工作电压下,2~4 GHz频带内连续波输出功率大于120 W,功率附加效率大于46%,功率增益大于9.5 dB,二次谐波抑制度大于20 dBc,杂波抑制度大于70 dBc.

关 键 词:内匹配器件  功率放大  S波段  GaN  宽带

A 2-4 GHz Continuous Wave 120 W GaN Internally Matched Power Device
Zhang Yichen,Wu Jingfeng,Yin Jun,Hu Yansheng. A 2-4 GHz Continuous Wave 120 W GaN Internally Matched Power Device[J]. Semiconductor Technology, 2021, 46(12): 937-941,961. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.12.005
Authors:Zhang Yichen  Wu Jingfeng  Yin Jun  Hu Yansheng
Abstract:
Keywords:
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