| 300 mm直径硅外延片均匀性控制方法 |
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| 引用本文： | 吴会旺,刘建军,米姣,薛宏伟,袁肇耿.300 mm直径硅外延片均匀性控制方法[J].半导体技术,2021,46(12):942-945,991. |
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| 作者姓名： | 吴会旺 刘建军 米姣 薛宏伟 袁肇耿 |
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| 作者单位： | 河北普兴电子科技股份有限公司,石家庄 050200;河北师范大学物理学院,石家庄050024;河北师范大学物理学院,石家庄050024;河北普兴电子科技股份有限公司,石家庄 050200 |
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| 摘 要： | 随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一.使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片.相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面的5个区域的气流进行调节,实现单独分区调控,从而提升了外延层厚度均匀性的可调性.实验中,采用两步外延方法,进一步提升了片内电阻率均匀性.通过对工艺参数进行优化,300 mm硅外延片的外延层厚度不均匀性达到0.8％,电阻率不均匀性为1.62％(边缘排除5 mm),成功提升了300 mm直径硅外延片的外延层厚度和电阻率均匀性控制水平.
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| 关 键 词： | 300 mm直径 硅外延片 五路进气结构 厚度均匀性 电阻率均匀性 |
Controlling Method of Uniformity for Silicon Epitaxial Wafer with 300 mm Diameter |
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| Wu Huiwang,Liu Jianjun,Mi Jiao,Xue Hongwei,Yuan Zhaogeng.Controlling Method of Uniformity for Silicon Epitaxial Wafer with 300 mm Diameter[J].Semiconductor Technology,2021,46(12):942-945,991. |
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| Authors: | Wu Huiwang Liu Jianjun Mi Jiao Xue Hongwei Yuan Zhaogeng |
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