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| 固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si/SiO_2界面的电子能谱分析 | |
| 引用本文： | 李思渊,殷之平,李寿嵩,张同军,江湧,蒋致诚,陈正石,齐尚奎.固定电荷的变化对界面态的影响及掺金Si/SiO_2界面的电子能谱分析[J].半导体技术,1983(3). |
| 作者姓名： | 李思渊 殷之平 李寿嵩 张同军 江湧 蒋致诚 陈正石 齐尚奎 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系 (李思渊，殷之平，李寿嵩，张同军，江湧)，中国科学院兰州化学物理所 (蒋致诚，陈正石)，中国科学院兰州化学物理所(齐尚奎) |
| 摘 要： | 文中描述了Si/SiO_2界面固定电荷对界面态的影响。考查了低温氢退火对Si/SiO_2界面特性的改善效果。同时还给出了界面电子能谱(AES和ESCA)时分析结果。 |
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