|
|||||
|
|
| SiO_x(X≈2)膜的淀积/氧化生长工艺 | |
| 引用本文： | 马春生,林立.SiO_x(X≈2)膜的淀积/氧化生长工艺[J].半导体技术,1988(2). |
| 作者姓名： | 马春生 林立 |
| 作者单位： | 吉林大学 (马春生)，吉林大学(林立) |
| 摘 要： | 本文报道了SiO_X(X≈2)膜的淀积/氧化生长工艺,通过控制氧含量X的值而达到控制膜折射率的目的,所生长的膜已应用于半导体集成光电子电路中聚酰亚胺P.I/SiO_X(X≈2)介质光波导的研制工作中. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |