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S波段网格型FBAR滤波器的研制
引用本文:李丽,申晓芳,李宏军.S波段网格型FBAR滤波器的研制[J].半导体技术,2015,40(5):369-373.
作者姓名:李丽  申晓芳  李宏军
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051
摘    要:介绍了一种单端口,端口阻抗为50 Ω的S波段宽带薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器,该滤波器采用网格型结构的FBAR滤波器芯片级联巴伦芯片实现.对宽带FBAR滤波器芯片的设计过程、工艺实现过程进行了说明.采用0.35 μm GaAs工艺实现了3~8 GHz频率范围的巴伦芯片,在FBAR滤波器芯片的中心频率处,幅度不平衡度为0.53 dB,相位不平衡度为0.55°.制备的FBAR滤波器通带频率范围为3 100~3 400 MHz,1 dB带宽约为369 MHz,在2 660 MHz和3 840 MHz处带外抑制分别为45.6 dBc和41.3 dBc,尺寸仅为12 mm×7 mm×2.9 mm.将实测结果与仿真结果进行了对比,两者一致性很好.

关 键 词:薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器  芯片  网格型结构  宽带  巴伦

Research and Fabrication of the Lattice-Type FBAR Filter for S Band
Abstract:
Keywords:film bulk acoustic resonator (FBAR) filter  chip  lattice-type structure  wideband  Balun
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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