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| 射频反应溅射Si_3N_4薄膜的性质和表面钝化作用 | |
| 引用本文： | 张苑岳,张世宏.射频反应溅射Si_3N_4薄膜的性质和表面钝化作用[J].半导体技术,1984(3). |
| 作者姓名： | 张苑岳 张世宏 |
| 作者单位： | 中山大学物理系 (张苑岳)，中山大学物理系(张世宏) |
| 摘 要： | 射频反应溅射Si_3N_4薄膜的光学和电学性质,与制备条件有密切的关系.对Si_3n_4膜的折射率、红外吸收带、相对介电常数、淀积速率和腐蚀速度随溅射电压和混合气体(Ar和N_2)组份的变化规律作了研究.指出,在最佳溅射条件下的电场作用和电子、负离子对硅器件表面SiO_2层的轰击造成的热作用,有利于加速Si_3N_4膜对存在于SiO_2层中的Na~+的吸取和捕集过程,使硅器件的光学特性和稳定性获得显著的改善.而且,由于淀积时的基片表面温度低,可以利用常用的光刻胶掩蔽,进行定域淀积,简化了Si_3N_4膜的光刻腐蚀工艺. |
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