| 多电源和多地的片上ESD保护 |
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| 引用本文： | 马晓慧.多电源和多地的片上ESD保护[J].半导体技术,2001,26(10):62-64,73. |
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| 作者姓名： | 马晓慧 |
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| 作者单位： | 上海华虹集成电路有限公司 |
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| 摘 要： | 介绍了集成电路设计中的ESD保护的基本原理和几种常用的保护方法并比较其优劣。提出了在多电源、多地时特殊的ESD保护结构（栅耦合结构及共用泄放回路），以及该结构在不同应用中的变化。
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| 关 键 词： | 静电保护 泄放回路 集成电路设计 |
| 文章编号： | 1003-353(2001)10-0062-03 |
On-chip ESD protection for multiple Vdd &Gnd |
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| MA Xiao-hui.On-chip ESD protection for multiple Vdd &Gnd[J].Semiconductor Technology,2001,26(10):62-64,73. |
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| Authors: | MA Xiao-hui |
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| Abstract: | The basic ESD protection theory in IC design, the normal protection structure and the advantage or disadvantage are introduced. The special ESD protection idea (gate-coupled and CDL) for multiple Vdd and Gnd, and the different applications are discussed also. |
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| Keywords: | ESD CDL IC design |
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