| 5 W Si衬底GaN基HEMT研究 |
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| 引用本文： | 刘晨晖,冯震,王勇,冯志宏,默江辉,蔡树军.5 W Si衬底GaN基HEMT研究[J].半导体技术,2008,33(1):62-64. |
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| 作者姓名： | 刘晨晖 冯震 王勇 冯志宏 默江辉 蔡树军 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 介绍了Si衬底上外延生长GaN基HEMT的制备及其直流特性与微波特性的研究结果:栅宽200 μm器件Vgs=0 V时饱和电流密度达0.975 A/mm,最大跨导240 mS/mm,夹断电压-4.5 V,栅漏击穿电压80 V;栅宽1 mm器件,在频率2 GHz下,工作电压Vds=25 V时,连续波输出功率为5.0 W,功率增益为9 dB,功率附加效率为35%.
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| 关 键 词： | 硅衬底 微波特性 氮化镓基高电子迁移率晶体管 |
| 文章编号： | 1003-353X（2008）01-0062-03 |
| 收稿时间： | 2007-09-13 |
| 修稿时间： | 2007年9月13日 |
Study of 5 W GaN-Based HEMT on Silicon Substrates |
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| Liu Chenhui,Feng Zhen,Wang Yong,Feng Zhihong,Mo Jianghui,Cai Shujun.Study of 5 W GaN-Based HEMT on Silicon Substrates[J].Semiconductor Technology,2008,33(1):62-64. |
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| Authors: | Liu Chenhui Feng Zhen Wang Yong Feng Zhihong Mo Jianghui Cai Shujun |
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| Affiliation: | Liu Chenhui,Feng Zhen,Wang Yong,Feng Zhihong,Mo Jianghui,Cai Shujun(The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si substrate microwave characteristics GaN-based HEMT |
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