| 毫米波单刀双掷开关的设计与制作 |
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| 引用本文： | 李富强,方园,高学邦,吴洪江,刘文杰.毫米波单刀双掷开关的设计与制作[J].半导体技术,2009,34(1). |
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| 作者姓名： | 李富强 方园 高学邦 吴洪江 刘文杰 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国家重点实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 以0.25μm GaAs PHEMT为基础,介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程,并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制.讨论了PHEMT开关建模的重要性,解决了建模中的关键问题,包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取,建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型.单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑,开关的测试采用了微波探针在片测试系统,在18～30 GHz获得了优异的电性能,插入损耗IL≤1.5 dB,输入/输出驻波比VSWR≤1.5:1,关断状态下的隔离度ISO≥30 dB,芯片尺寸为1.2 m/mm×1.8 mm×0.1 mm.
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| 关 键 词： | 毫米波 单刀双掷开关 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 |
Design and Fabrication of Millimeter Wave SPDT Switch |
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| Li Fuqiang,Fang Yuan,Gao Xuebang,Wu Hongjiang,Liu Wenjie.Design and Fabrication of Millimeter Wave SPDT Switch[J].Semiconductor Technology,2009,34(1). |
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| Authors: | Li Fuqiang Fang Yuan Gao Xuebang Wu Hongjiang Liu Wenjie |
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| Affiliation: | The 13th Research Institute;CETC;Shijiazhuang 050051;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | millimeter wave SPDT switch GaAs PHEMT |
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