| 基于峰值谱技术的GaN基微波功率器件陷阱表征方法 |
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| 引用本文： | 张娇,张亚民,冯士维.基于峰值谱技术的GaN基微波功率器件陷阱表征方法[J].半导体技术,2022,47(4):274-280. |
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| 作者姓名： | 张娇 张亚民 冯士维 |
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| 作者单位： | 北京工业大学微电子学院,北京 100124 |
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| 基金项目： | 北京市教委科技计划一般项目;国家自然科学基金;北京市自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | GaN基HEMT 陷阱表征 瞬态电流法 时间常数谱 贝叶斯迭代 |
Trap Characterization Method for GaN-Based Microwave Power Devices Based on Peak Spectrum Technology |
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| Zhang Jiao,Zhang Yamin,Feng Shiwei.Trap Characterization Method for GaN-Based Microwave Power Devices Based on Peak Spectrum Technology[J].Semiconductor Technology,2022,47(4):274-280. |
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| Authors: | Zhang Jiao Zhang Yamin Feng Shiwei |
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| Abstract: | |
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