| 高压IGBT短路热点研究和性能改进 |
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| 引用本文： | 周东海,张大华,叶枫叶,高东岳,晁武杰.高压IGBT短路热点研究和性能改进[J].半导体技术,2022,47(3):192-198. |
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| 作者姓名： | 周东海 张大华 叶枫叶 高东岳 晁武杰 |
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| 作者单位： | 南瑞集团(国网电力科学研究院)有限公司,南京 211106;南瑞联研半导体有限责任公司,南京 211100,国网福建省电力有限公司 电力科学研究院,福州 350007 |
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| 基金项目： | 国家电网有限公司总部科技项目 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 高压IGBT 短路 场终止(FS)层 通态压降 芯片热点 |
Research of High Voltage IGBT Short-Circuit Hot Spots and Performance Improvement |
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| Zhou Donghai,Zhang Dahua,Ye Fengye,Gao Dongyue,Chao Wujie.Research of High Voltage IGBT Short-Circuit Hot Spots and Performance Improvement[J].Semiconductor Technology,2022,47(3):192-198. |
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| Authors: | Zhou Donghai Zhang Dahua Ye Fengye Gao Dongyue Chao Wujie |
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| Abstract: | |
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