| 光刻过程RtR控制方法研究进展分析 |
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| 引用本文： | 王亮,胡静涛.光刻过程RtR控制方法研究进展分析[J].半导体技术,2011,36(3):199-205. |
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| 作者姓名： | 王亮 胡静涛 |
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| 作者单位： | 中国科学院沈阳自动化所工业信息学重点实验室,沈阳,110016;中国科学院研究生院,北京,100039;沈阳化工大学,沈阳,110142;中国科学院沈阳自动化所工业信息学重点实验室,沈阳,110016 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项，沈阳市科技计划资助项目 |
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| 摘 要： | 首先对光刻过程和RtR(Run-to-Run)控制技术的产生背景进行了介绍,对统计过程控制的不足进行了分析并给出了RtR控制器的一般结构。然后从过程建模和控制算法两个角度对三种主要的光刻过程RtR控制器EWMA,MPC和ANN进行了综述和评价,对这三种控制器在非线性控制、单变量控制、多变量控制的适用性和优化控制效果进行了比较分析。最后指出基于MPC的非线性多变量控制器将成为光刻过程RtR控制器的主要研究方向。
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| 关 键 词： | 半导体制造 光刻过程 RtR控制 过程控制 模型预测控制 |
Research Analysis of RtR Control Method for Lithography Process |
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| Wang Liang,Hu Jingtao.Research Analysis of RtR Control Method for Lithography Process[J].Semiconductor Technology,2011,36(3):199-205. |
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| Authors: | Wang Liang Hu Jingtao |
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| Affiliation: | Wang Liang1,2,3,Hu Jingtao1(1.Key Laboratory of Industrial Informatics,Shenyang Institute of A utomation,Chinese Academy of Sciences,Shenyang 110016,China,2.Graduate Schoo l of the Chinese Academy of Science,Beijing 100039,3.Shenyang University of Chemical Technology,Shenyang 110142,China) |
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| Abstract: | Firstly,the lithography process and background of RtR control technique were introduced.The shortage of statistical process control was analyzed and the general structure of the RtR controller was given.Then,an overview and evaluation about EWMA,MPC and ANN controllers of the lithography process were given in the ways of modeling and control algorithms.Besides,the comparative analysis of the nonlinear control,SISO control,MISO control,MIMO control and optimization control quality of three controllers were p... |
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| Keywords: | semiconductor manufacturing lithography process RtR control process control model predictive control |
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