| 宽带GaN单片功率放大器研究 |
| |
| 引用本文： | 王会智,闫锐,刘波,冯志红,何庆国,蔡树军.宽带GaN单片功率放大器研究[J].半导体技术,2010,35(8):813-815. |
| |
| 作者姓名： | 王会智 闫锐 刘波 冯志红 何庆国 蔡树军 |
| |
| 作者单位： | 专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器.测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2～7 GHz频带内,小信号增益G＞18 dB,输入回损＜-10 dB,脉冲饱和输出功率Po＞5 W,功率增益GP＞15 dB,典型功率附加效率25%(测试条件为脉宽100μs,占空比10%).GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点.
|
| 关 键 词： | AlGaN/GaN 宽带 单片 放大器 脉冲 |
Investigation of GaN Broadband Monolithic Power Amplifier |
| |
| Wang Huizhi,Yan Rui,Liu Bo,Feng Zhihong,He Qingguo,Cai Shujun.Investigation of GaN Broadband Monolithic Power Amplifier[J].Semiconductor Technology,2010,35(8):813-815. |
| |
| Authors: | Wang Huizhi Yan Rui Liu Bo Feng Zhihong He Qingguo Cai Shujun |
| |
| Affiliation: | Wang Huizhi,Yan Rui,Liu Bo,Feng Zhihong,He Qingguo,Cai Shujun(National Key Lab.of ASIC,Shijiazhuang 050051,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | AlGaN/GaN |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
