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一种用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型
引用本文:孙玲玲,王静,刘军.一种用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型[J].半导体技术,2005,30(10):49-53.
作者姓名:孙玲玲  王静  刘军
作者单位:杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018;杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018;杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018
摘    要:提出一个应用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型,描述了模型参数的提取方法,并把此模型应用于单、多指InGaP/GaAs HBT器件的建模.对器件的I-V特性及50MHz~15GHz频率范围内S参数进行了测量和仿真.结果表明,50MHz~9GHz频率范围内,简化后模型可对InGaP/GaAs HBT交流小信号特性进行较好的表征.

关 键 词:InGaP/GaAs  HBT  VBIC  模型
文章编号:1003-353X(2005)10-0049-05
收稿时间:2004-10-26
修稿时间:2004年10月26日

A Simplified VBIC Model and Extraction Procedure for InGaP/GaAs HBT
SUN Ling-ling,WANG Jing,LIU Jun.A Simplified VBIC Model and Extraction Procedure for InGaP/GaAs HBT[J].Semiconductor Technology,2005,30(10):49-53.
Authors:SUN Ling-ling  WANG Jing  LIU Jun
Abstract:
Keywords:InGaP/GaAs HBT VBIC model
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