| 钝化边沿的制作及其对GalnP/GaAs SHBT 性能的影响 |
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| 引用本文： | 杜鹏搏,蔡克理,蔡树军.钝化边沿的制作及其对GalnP/GaAs SHBT 性能的影响[J].半导体技术,2007,32(3). |
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| 作者姓名： | 杜鹏搏 蔡克理 蔡树军 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿.这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层.研发出了带发射极钝化边沿的GalnP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比,结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性,对器件的高频特性无明显影响.
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| 关 键 词： | 侧墙 发射极钝化边沿 单异质结双极型晶体管 钝化边 制作 GaAs 性能 影响 GaInP Performance Effect Fabrication 高频特性 直流特性 器件特性 小尺寸 改善 结果 异质结双极型晶体管 湿法腐蚀 掩膜 绝缘介质 工艺 |
Passivation Ledge Fabrication and Its Effect on Performance of GaInP/GaAs SHBT |
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| DU Peng-bo,CAI Ke-li,CAI Shu-jun.Passivation Ledge Fabrication and Its Effect on Performance of GaInP/GaAs SHBT[J].Semiconductor Technology,2007,32(3). |
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| Authors: | DU Peng-bo CAI Ke-li CAI Shu-jun |
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