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| 势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真 | |
| 引用本文： | 杨鹏,杨琦,刘帅.势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真[J].半导体技术,2018,43(12):905-911. |
| 作者姓名： | 杨鹏 杨琦 刘帅 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件 漏极离子轻掺杂(LDD)技术 增强型HEMT 击穿电压 氢离子注入 |
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