| InP基谐振隧穿二极管的研究 |
| |
| 引用本文： | 李亚丽,张雄文,冯震,周瑞,张志国.InP基谐振隧穿二极管的研究[J].半导体技术,2008,33(2):141-143. |
| |
| 作者姓名： | 李亚丽 张雄文 冯震 周瑞 张志国 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,专用集成电路国家级重点实验室,石家庄,050051 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金
,
上海市浦江人才计划 |
| |
| 摘 要： | 谐振隧穿二极管(RTD)具有高频、低功耗、负阻、双稳态、自锁等优点,在超高速数字电路领域具有非常好的应用前景.加之InP材料固有的优越特性,使得InP基谐振隧穿器件成为目前研究的重点.研究并试制了InP基RTD实验样品,对其直流特性进行了测试分析,器件的最大电流峰谷比(PVCR)达到了17.8.
|
| 关 键 词： | 谐振隧穿二极管 电流峰谷比 铟磷基外延材料 |
| 文章编号： | 1003-353X（2008）02-0141-03 |
| 收稿时间： | 2007-09-14 |
| 修稿时间： | 2007年9月14日 |
Study of InP-Based Resonant Tunneling Diode |
| |
| Li Yali,Zhang Xiongwen,Feng Zhen,Zhou Rui,Zhang Zhiguo.Study of InP-Based Resonant Tunneling Diode[J].Semiconductor Technology,2008,33(2):141-143. |
| |
| Authors: | Li Yali Zhang Xiongwen Feng Zhen Zhou Rui Zhang Zhiguo |
| |
| Affiliation: | Li Yali,Zhang Xiongwen,Feng Zhen,Zhou Rui,Zhang Zhiguo (National Key Lab of ASIC,The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
| |
| Abstract: | With high device frequency,low power dissipation,negative impedance,bistable and self-locking,resonant tunneling diode(RTD)has a promising application prospect in the ultra high speed digital circuits.Because of the inherent advantages InP-based resonant tunneling devices attract great attention in recent years.InP-based RTD was fabricated,its DC characteristics were investigated,and results show that the maximum peak-to-valley current ratio(PVCR)is 17.8 at room temperature. |
| |
| Keywords: | resonant tunneling diodes peak-to-valley current ratio InP-based epitaxial material |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
