| 用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT 高频噪声性能 |
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| 引用本文： | 杨维明,史辰,徐晨,陈建新.用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT 高频噪声性能[J].半导体技术,2005,30(10):19-21,45. |
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| 作者姓名： | 杨维明 史辰 徐晨 陈建新 |
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| 作者单位： | 北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 摘 要： | 常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善.
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| 关 键 词： | 离子注入 异质结双极晶体管 噪声系数 基极电阻 离子注入 工艺改善 SiGe 噪声性能 Performances Noise Improving Technology 最小噪声系数 器件制作 测试 工艺方法 自对准 高频噪声 基极电阻 工艺制作 |
| 文章编号： | 1003-353X（2005）10-0019-03 |
| 收稿时间： | 2004-11-26 |
| 修稿时间： | 2004年11月26日 |
Improving the Noise Performances of Si/SiGe HBT via Ion Implantation Technology |
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| YANG Wei-ming,SHI Chen,XU Chen,CHEN Jian-xin.Improving the Noise Performances of Si/SiGe HBT via Ion Implantation Technology[J].Semiconductor Technology,2005,30(10):19-21,45. |
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| Authors: | YANG Wei-ming SHI Chen XU Chen CHEN Jian-xin |
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| Abstract: | Bad noise performance of conventional device is mainly caused by the high base resistance. In order to reduce the base resistance for improving the noise feature, the ion implantation self-aligned process was taken. Then the direct current characteristics and the minimum noise coefficients of the devices were measured. The results indicate that the ion implantation technique can improve the noise performances of the device apparently. |
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| Keywords: | ion implantation HBT noise coefficient base resistance |
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