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| 硅／硅直接键合（SDB）平面型高反压大功率晶体管研究 | |
| 引用本文： | 詹娟,刘光廷.硅／硅直接键合（SDB）平面型高反压大功率晶体管研究[J].半导体技术,1990(5):48-50,47. |
| 作者姓名： | 詹娟 刘光廷 |
| 作者单位： | 东南大学 (詹娟，刘光廷)，东南大学(孔德平) |
| 摘 要： | 本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三重扩散和厚外延两种技术具有更吸引人的长处:①温度低、时间短;②高阻区厚度任意选择;③高阻区掺杂浓度也可以任意选择(由任意选择晶片电阻率而定)。 |
| 关 键 词： | 功率晶体管 直接键合 SDB 硅／硅 |
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