首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

考虑漏磁效应的平行平板式磁微执行器Pull-in模型
引用本文:郄军建,方玉明,徐琳.考虑漏磁效应的平行平板式磁微执行器Pull-in模型[J].半导体技术,2012,37(6):448-451.
作者姓名:郄军建  方玉明  徐琳
作者单位:南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210003;南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210003;南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210003
基金项目:国家自然科学基金资助项目,2010年度江苏省高校“青蓝工程”资助项目
摘    要:Pull-in参数是设计磁微执行器时需要考虑的一项重要参数。研究漏磁效应对Pull-in参数的影响时,通常采用有限元法求数值解,需要反复重新建模,工作量大,因而需要一个解析模型。对于平行平板式磁微执行器,给出了详细的漏磁阻模型。将漏磁阻的解析式带入到Pull-in方程组中便可得到一对考虑了漏磁影响的Pull-in参数。利用有限元法对器件的Pull-in特性进行了仿真。将考虑漏磁影响的理论值和不考虑漏磁影响的理论值分别与有限元分析结果做对比,结果表明,不考虑漏磁影响时,Pull-in参数的误差随着极板间距的增大而增大。利用漏磁阻模型求出的Pull-in参数具则有良好的精度,并且相对误差不随极板间距的增大而增大。

关 键 词:Pull-in  磁微执行器  漏磁阻  耦合场分析  有限元法

A Pull-in Model for Parallel-Plate Magnetic Microactuator with Flux Leakage Effect
Qie Junjian , Fang Yuming , Xu Lin.A Pull-in Model for Parallel-Plate Magnetic Microactuator with Flux Leakage Effect[J].Semiconductor Technology,2012,37(6):448-451.
Authors:Qie Junjian  Fang Yuming  Xu Lin
Affiliation:(College of Electronic Science and Engineering,Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing 210003,China)
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号