n—CdTe Schottky势垒薄膜太阳能电池中嵌入p型层对其势垒高度影响的计算机 |
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引用本文: | 林鸿生.n—CdTe Schottky势垒薄膜太阳能电池中嵌入p型层对其势垒高度影响的计算机[J].半导体技术,1998,23(2):14-17. |
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作者姓名: | 林鸿生 |
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摘 要: | 通过求解Poisson方程,对热平衡态金属:p-nCdTeSchottky势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟,嵌入的p型层增大传统金属,n-CdTe结有效Schottky势垒高度与p型层厚度,掺杂浓度以及n-CdTe本底电阻率有依赖关系,最后讨论嵌入p型层增加CdTeSchottky势叠太阳电池对光生载流子的收集作用。
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关 键 词: | 薄膜 太阳电池 势垒高度 碲化镉 |
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