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n—CdTe Schottky势垒薄膜太阳能电池中嵌入p型层对其势垒高度影响的计算机
引用本文:林鸿生.n—CdTe Schottky势垒薄膜太阳能电池中嵌入p型层对其势垒高度影响的计算机[J].半导体技术,1998,23(2):14-17.
作者姓名:林鸿生
摘    要:通过求解Poisson方程,对热平衡态金属:p-nCdTeSchottky势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟,嵌入的p型层增大传统金属,n-CdTe结有效Schottky势垒高度与p型层厚度,掺杂浓度以及n-CdTe本底电阻率有依赖关系,最后讨论嵌入p型层增加CdTeSchottky势叠太阳电池对光生载流子的收集作用。

关 键 词:薄膜  太阳电池  势垒高度  碲化镉
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