高性能AlN薄膜体声波谐振器的研究 |
| |
引用本文: | 李丽,郑升灵,王胜福,李丰,李宏军.高性能AlN薄膜体声波谐振器的研究[J].半导体技术,2013(6):448-452. |
| |
作者姓名: | 李丽 郑升灵 王胜福 李丰 李宏军 |
| |
作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| |
摘 要: | 报道了一种空气隙型S波段薄膜体声波谐振器,该谐振器采用一维Mason模型进行仿真,电极材料选用Mo,压电薄膜材料选用AlN,通过对AlN薄膜制备条件的优化,得到了半高宽为3.32°的AlN压电薄膜,并用于研制薄膜体声波谐振器。测试结果表明,其串联谐振频率和并联谐振频率分别为2 185 MHz和2 217 MHz,有效机电耦合系数(kt2)为3.56%,在串联谐振频率和并联谐振频率处的品质因数(Q)值分别为1 571.89和586.62,kt2Q达到了55.96。根据实测结果提取了MBVD模型的参数,并将实测结果与MBVD拟合结果进行了对比,两者吻合得很好。
|
关 键 词: | 一维Mason模型 AlN压电薄膜 有效机电耦合系数 Q值 MBVD模型 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|