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高性能AlN薄膜体声波谐振器的研究
引用本文:李丽,郑升灵,王胜福,李丰,李宏军.高性能AlN薄膜体声波谐振器的研究[J].半导体技术,2013(6):448-452.
作者姓名:李丽  郑升灵  王胜福  李丰  李宏军
作者单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
摘    要:报道了一种空气隙型S波段薄膜体声波谐振器,该谐振器采用一维Mason模型进行仿真,电极材料选用Mo,压电薄膜材料选用AlN,通过对AlN薄膜制备条件的优化,得到了半高宽为3.32°的AlN压电薄膜,并用于研制薄膜体声波谐振器。测试结果表明,其串联谐振频率和并联谐振频率分别为2 185 MHz和2 217 MHz,有效机电耦合系数(kt2)为3.56%,在串联谐振频率和并联谐振频率处的品质因数(Q)值分别为1 571.89和586.62,kt2Q达到了55.96。根据实测结果提取了MBVD模型的参数,并将实测结果与MBVD拟合结果进行了对比,两者吻合得很好。

关 键 词:一维Mason模型  AlN压电薄膜  有效机电耦合系数  Q值  MBVD模型
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