| 工艺参数对低压TVS器件耐压的影响 |
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| 引用本文： | 陈天,谷健,郑娥.工艺参数对低压TVS器件耐压的影响[J].半导体技术,2015,40(2):106-111. |
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| 作者姓名： | 陈天 谷健 郑娥 |
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| 作者单位： | 上海新进半导体制造有限公司,上海,200233;上海新进半导体制造有限公司,上海,200233;上海新进半导体制造有限公司,上海,200233 |
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| 摘 要： | 目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入.从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响.当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6V.DP注入能量在50 keY以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2 μm时击穿电压保持为7V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升.通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护.
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| 关 键 词： | 瞬间电压抑制(TVS)二极管 击穿电压 工艺参数 静电放电(ESD) 齐纳击穿 |
Effects of Process Parameters on the Voltage Withstanding Performance of Low Voltage TVS Devices |
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| Chen Tian;Gu Jian;Zheng E.Effects of Process Parameters on the Voltage Withstanding Performance of Low Voltage TVS Devices[J].Semiconductor Technology,2015,40(2):106-111. |
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| Authors: | Chen Tian;Gu Jian;Zheng E |
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| Affiliation: | Chen Tian;Gu Jian;Zheng E;BCD Semiconductor Manufacturing Ltd; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | transient voltage suppressor (TVS) diode break voltage process parameter electro-static discharge (ESD) Zener breakdown |
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