石墨烯场效应晶体管的非线性模型 |
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引用本文: | 杜光伟,李佳,胡志富,冯志红,宋旭波.石墨烯场效应晶体管的非线性模型[J].半导体技术,2016(4):292-296,301. |
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作者姓名: | 杜光伟 李佳 胡志富 冯志红 宋旭波 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所;中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室 |
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摘 要: | 包含新技术、新材料的新型器件的不断涌现,使现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管(GFET)的特性。提出了一种基于经验公式的非线性模型来表征GFET的特性,该模型对传统经验模型的公式和拓扑结构进行了改进,使其能更好地表征GFET的特性。该模型包含了GFET的栅源电流模型、源漏电流模型、电容模型和低频散射效应等。此外该模型为可定标的模型,可用于一定尺寸范围的器件的仿真。该模型可集成在仿真软件中进行石墨烯电路的设计,其直流I-V特性和多偏置S参数的仿真结果与测试结果吻合较好,验证了该模型的有效性。
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关 键 词: | 石墨烯 场效应晶体管(FET) 非线性 模型 低频散射效应 |
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