| 0.25 μm介质栅与非介质栅PHEMT的性能比较分析 |
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| 引用本文： | 付兴昌,罗希,崔玉兴.0.25 μm介质栅与非介质栅PHEMT的性能比较分析[J].半导体技术,2009,34(7). |
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| 作者姓名： | 付兴昌 罗希 崔玉兴 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 为提高PHEMT性能,从改进PHEMT结构出发,采用介质栅器件结构,研制了0.25 μm介质栅PHEMT器件,并与Win公司生产的0.25 μm非介质栅器件的频率特性、开态击穿和功率特性进行了比较.介质栅器件选用了合适的栅凹槽的宽度和掺杂浓度,提高了开态击穿电压.这意味着可以在更高的电压下稳定的工作而不被烧毁.0.25 μm介质栅器件的截止频率达到19 GHz,开态击穿电压超过11 v,功率密度超过1 W/mm,表现出了较非介质栅器件更为优异的功率性能.最后分析了介质栅器件的优势和有待改进的方向,优化器件栅凹槽形貌,调整栅帽下面介质的厚度,使用双场板结构等可以进一步提升器件性能.
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| 关 键 词： | 赝配高电子迁移率晶体管器件 开态击穿 负载牵引 介质栅 双场板 |
Analysis of Performance of 0.25 μm Dielectric Defined Gate and Normal Process Gate PHEMTs |
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| Fu Xingchang,Luo Xi,Cui Yuxing.Analysis of Performance of 0.25 μm Dielectric Defined Gate and Normal Process Gate PHEMTs[J].Semiconductor Technology,2009,34(7). |
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| Authors: | Fu Xingchang Luo Xi Cui Yuxing |
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| Affiliation: | Fu Xingchang,Luo Xi,Cui Yuxing(The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PHEMT device on-state breakdown load-pull dielectric gate double field plate |
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