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| φ100 mm掺硫InP单晶生长研究 | |
| 作者姓名： | 徐永强 李贤臣 孙聂枫 杨光耀 周晓龙 谢德良 刘二海 孙同年 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051;七一五二一部队542厂,河南,新乡,453002 |
| 摘 要： | InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用.掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域.为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究.首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率.采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性.制备出100mm掺硫InP整锭〈100〉InP单晶和单晶片.经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3.本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70.或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生. |
| 关 键 词： | 磷化铟 单晶 位错密度 |
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