| GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取 |
| |
| 引用本文： | 李静强,胡志富,崔玉兴,刘会东.GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取[J].半导体技术,2015,40(7):507-511. |
| |
| 作者姓名： | 李静强 胡志富 崔玉兴 刘会东 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051 |
| |
| 摘 要： | 介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pu-cel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型.基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式.利用上述方法,针对200 μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4～18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性.
|
| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 噪声 模型 参数提取 |
Extraction Method for GaN HEMT Microwave Noise Model Parameters |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaN high electron mobility transistor (HEMT) noise model parameter extraction |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
