| p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性 |
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| 引用本文： | 姚楚君,杨国锋,孙锐,许桂婷,李月靖,蔡乐晟.p型InGaN/GaN超晶格N面GaN基LED的光电特性[J].半导体技术,2015,40(11). |
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| 作者姓名： | 姚楚君 杨国锋 孙锐 许桂婷 李月靖 蔡乐晟 |
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| 作者单位： | 江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122;江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122;江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122;江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122;江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122;江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金资助项目(2014M561623;2014M551559)，江苏省博士后科研资助计划(1401013B)，中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP11408 |
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| 摘 要： | 随着氮(N)面GaN材料生长技术的发展,基于N面GaN衬底的高亮度发光二极管(LED)的研究具有重要的科学意义.研究了具有高发光功率的N面GaN基蓝光LED的新型结构设计,通过在N面LED的电子阻挡层和多量子阱有源层之间插入p型InGaN/GaN超晶格来提高有源层中的载流子注入效率.为了对比N面GaN基LED优异的器件性能,同时设计了具有相同结构的Ga面LED.通过对两种LED结构的电致发光特性、有源层中能带图、电场和载流子浓度分布进行比较可以发现,N面LED在输出功率和载流子注入效率上比Ga面LED有明显的提升,从而表明N面GaN基LED具有潜在的应用前景.
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| 关 键 词： | N面GaN 发光二极管 极化效应 InGaN/GaN超晶格 载流子注入效率 |
Optoelectronic Properties for N-Face GaN LED with p-Type InGaN/GaN Superlattice |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | N-face GaN light-emitting diode (LED) polarization effect InGaN/GaN superlattice carrier injection efficiency |
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