| 玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展 |
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| 引用本文： | 汪金,张卿,杨国锋,高淑梅,李果华.玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展[J].半导体技术,2015,40(11). |
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| 作者姓名： | 汪金 张卿 杨国锋 高淑梅 李果华 |
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| 作者单位： | 江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122;江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122;江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122;江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122;江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心,江苏无锡,214122 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金资助项目(2014M561623;2014M551559)，江苏省博士后科研资助计划(1401013B)，中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUS-RP11408 |
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| 摘 要： | 近年来,GaN基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.但由于普通玻璃较低的软化温度(500～ 600℃)以及与GaN之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展.重点综述了玻璃衬底上生长GaN薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术.分别介绍了两种在普通玻璃上生长GaN的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长(ELO)技术对外延GaN晶体质量的影响.对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展.
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| 关 键 词： | 薄膜 氮化镓 玻璃衬底 发光二极管(LED) 横向外延过生长(ELO) |
Research Progress of the GaN Thin Film Fabricated on the Glass Substrate |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film GaN glass substrate light-emitting diode (LED) epitaxial lateral overgrowth (ELO) |
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