| Ka波段GaN HEMT功率器件 |
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| 引用本文： | 廖龙忠,张力江,孙希国,何先良,崔玉兴,付兴昌.Ka波段GaN HEMT功率器件[J].半导体技术,2015,40(7). |
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| 作者姓名： | 廖龙忠 张力江 孙希国 何先良 崔玉兴 付兴昌 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司 第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用AlN插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度.采用场板结构提高了器件击穿电压.采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高了器件高频输出功率增益.采用钝化工艺抑制了电流崩塌,提高了输出功率.采用通孔工艺减小源极寄生电阻,通过优化钝化层厚度减小了寄生电容,提高了器件增益.基于国产SiC外延材料及0.15 μm GaN HEMT工艺进行了器件流片,最终研制成功Ka波段GaN HEMT功率器件.对栅宽300 μm器件在29 GHz下进行了微波测试,工作栅源电压为-2.2V,源漏电压为20 V,输入功率为21 dBm时,器件输出功率为30 dBm,功率增益为9 dB,功率附加效率约为43％,功率密度达到3.3 W/mm.
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| 关 键 词： | Ka波段 功率器件 细栅工艺 钝化 负载牵引 |
Ka Band GaN HEMT Power Devices |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ka band power device thin gate process passivation loadpull |
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