| GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应 |
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| 引用本文： | 张志国,杨瑞霞,李丽,李献杰,王勇,杨克武.GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应[J].半导体技术,2005,30(7):50-55. |
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| 作者姓名： | 张志国 杨瑞霞 李丽 李献杰 王勇 杨克武 |
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| 作者单位： | 河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法.列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各种抑制电流崩塌的方法进行了比较.
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| 关 键 词： | 氮化镓 异质结场效应晶体管 极化效应 二维电子气 电流崩塌效应 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)07-0050-06 |
| 修稿时间： | 2004年9月29日 |
The 2DEG Induced by Polarization and Current Collapse in GaN-Based HFET |
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| ZHANG Zhi-guo,YANG Rui-xia,LI Li,LI Xian-jie,WANG Yong,YANG Ke-wu.The 2DEG Induced by Polarization and Current Collapse in GaN-Based HFET[J].Semiconductor Technology,2005,30(7):50-55. |
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| Authors: | ZHANG Zhi-guo YANG Rui-xia LI Li LI Xian-jie WANG Yong YANG Ke-wu |
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| Abstract: | Based on the crystal structure and microelectronics, two problems of GaN-based HFET are presented. One is the 2DEG induced by polarization phenomenon, which includes the physical mechanism of piezoelectric and spontaneous polarization, the formation of the 2DEG, the relation of the polarization and the concentration of the 2DEG and the methods of increasing the magnitude of 2DEG, the other is the current collapse, which includes referring three typical examples of current collapse, forming and suppressing of collapse and in-depth comparing about the technology of suppressing current collapse. |
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| Keywords: | GaN HFET polarization effect 2DEG current collapse effect |
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