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用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究
引用本文:罗铂靓,杜惊雷,唐雄贵,杜春雷,刘世杰,郭永康.用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究[J].半导体技术,2005,30(7):34-38.
作者姓名:罗铂靓  杜惊雷  唐雄贵  杜春雷  刘世杰  郭永康
作者单位:1. 四川大学物理学院,成都,610064
2. 微细加工光学技术国家重点实验室,成都,610209
3. 陕西理工学院物理系,陕西,汉中,723001
基金项目:国家自然科学基金 , 国家重点实验室基金
摘    要:对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件.通过对光刻工艺过程的研究,可为较好地控制正性光刻胶面形,制作微机械、微光学器件提供了参考依据,对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义.

关 键 词:光刻胶  前烘  曝光  显影  器件加工  厚胶光刻  工艺研究  Micro  Fabrication  Photoresist  Study  意义  指导  深刻蚀  微浮雕结构  参考依据  微光学器件  微机械  制作  正性光刻胶  控制  工艺过程  最佳  高深宽比  关系
文章编号:1003-353X(2005)07-0034-05
修稿时间:2005年2月2日

Technical Study of AZ4620 Thick Photoresist for Micro Fabrication
LUO Bo-liang,DU Jing-lei,TANG Xiong-gui,DU Chun-lei,LIU SHI-JIE,GUO Yong-Kang.Technical Study of AZ4620 Thick Photoresist for Micro Fabrication[J].Semiconductor Technology,2005,30(7):34-38.
Authors:LUO Bo-liang  DU Jing-lei  TANG Xiong-gui  DU Chun-lei  LIU SHI-JIE  GUO Yong-Kang
Abstract:AZ4620 photoresist is a widespread availability thick photoresit for micro fabrication. Technical study of this thick resist for ultraviolet- lithography was carried out, and the relation between processing property, lithographic results and various technological conditions are explored, then the optimization conditions for etching high depth-to-width ratio and relief are given figure. We can better control the positive photoresist figure, provide a reference for making MEMS and MOEMS, it is of an important instructional significance for deep relief of micro structure.
Keywords:photoresist  prebake  exposure  development
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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