| IGBT芯片静态输出曲线连续测量方法 |
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| 引用本文： | 彭程,李学宝,杨艺烜,姚兆民,王克胜,赵志斌,代安琪,唐新灵,崔翔. IGBT芯片静态输出曲线连续测量方法[J]. 半导体技术, 2022, 0(1) |
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| 作者姓名： | 彭程 李学宝 杨艺烜 姚兆民 王克胜 赵志斌 代安琪 唐新灵 崔翔 |
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| 作者单位： | 新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学）;先进输电技术国家重点实验室（全球能源互联网研究院有限公司）;国网山西省电力公司检修分公司 |
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| 基金项目： | 国家电网有限公司总部科技项目(5500-202058400A-0-0-00)。 |
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| 摘 要： | 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一。现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存在价格昂贵、夹具单一的问题。亟需开发一种简单、快速、有效的静态输出曲线测量方法。面向高压IGBT芯片,提出一种新的静态输出曲线连续测量方法及测试电路,有效减小了IGBT芯片的电导调制效应和温升效应对静态输出曲线的影响。通过实时测量动态过程中的电压及电流,可以快速得到IGBT芯片静态输出曲线。通过对比本文连续法与功率器件分析仪的测量结果,证明了所提方法的有效性。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 静态输出曲线 连续法 电导调制效应 温升效应 |
Continuous Measurement Method for Static Output Curve of IGBT Chips |
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| Peng Cheng,Li Xuebao,Yang Yixuan,Yao Zhaomin,Wang Kesheng,Zhao Zhibin,Dai Anqi,Tang Xinling,Cui Xiang. Continuous Measurement Method for Static Output Curve of IGBT Chips[J]. Semiconductor Technology, 2022, 0(1) |
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| Authors: | Peng Cheng Li Xuebao Yang Yixuan Yao Zhaomin Wang Kesheng Zhao Zhibin Dai Anqi Tang Xinling Cui Xiang |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources(NCEPU),Beijing 102206,China;State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology(Global Energy Interconnection Research Institute Co.,Ltd.),Beijing 102209,China;Maintenance Branchy State Grid Shanxi Electric Power Company,Taiyuan 030032,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | insulated gate bipolar transistor(IGBT) static output curve continuous method conductance modulation effect temperature effect |
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