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一种900MHz CMOS低压高线性度混频器的设计
引用本文:危长明,陈迪平,陈弈星. 一种900MHz CMOS低压高线性度混频器的设计[J]. 半导体技术, 2005, 30(10): 65-69
作者姓名:危长明  陈迪平  陈弈星
作者单位:湖南大学应用物理系,长沙,410082;湖南大学应用物理系,长沙,410082;湖南大学应用物理系,长沙,410082
摘    要:针对无线通讯设备面向高性能、低成本、低电压、低功耗和小体积的应用,对基本的CMOSGilbert混频器构架加以改进.改进后的混频器在3V下具有高线性度(IIP3=7.4dBm),隔离度较高,提供1 3dB的变频增益,而噪声也在12.5dB以下.

关 键 词:混频器  线性度  噪声系数  低电压  吉尔伯特
文章编号:1003-353X(2005)10-0065-05
收稿时间:2004-12-05
修稿时间:2004-12-05

Design of a 900MHz CMOS Low Voltage High Linearity Mixer
WEI Changming,CHEN Diping,CHEN Yixing. Design of a 900MHz CMOS Low Voltage High Linearity Mixer[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(10): 65-69
Authors:WEI Changming  CHEN Diping  CHEN Yixing
Abstract:Based upon the basic CMOS Gilbert mixer structure, aiming at the application of the good performance, low cost, low voltage, low power consumption and small size ICs for the wireless communication, an improved mixer is presented, working under 3V supply voltage with high linearity (IIP3=7.4dBm), good isolation, 13dB conversion gain and NF less than 12.5dB.
Keywords:mixer  linearity  noise figure(NF)  low voltage  Gilbert  
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