| 采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管 |
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| 引用本文： | 刘国辉,田石.采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管[J].半导体技术,2013(1):30-34. |
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| 作者姓名： | 刘国辉 田石 |
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| 作者单位： | 锦州天维电子有限公司 |
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| 摘 要： | 介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命。研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理。研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门极特性和动态特性。
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| 关 键 词： | 快速晶闸管 镓铝双质掺杂 杂质浓度分布 图形设计 电子辐照 |
Using Ga-Al Double-Impurity Dope for Making Fast Switching Thyristor |
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| Liu Guohui,Tian Shi.Using Ga-Al Double-Impurity Dope for Making Fast Switching Thyristor[J].Semiconductor Technology,2013(1):30-34. |
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| Authors: | Liu Guohui Tian Shi |
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| Affiliation: | (Jinzhou Tianwei Electronics Co.,Ltd.,Jinzhou 121001,China) |
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