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| GaAs开关FET功率特性的研究 | |
| 引用本文： | 王磊,马伟宾,刘帅.GaAs开关FET功率特性的研究[J].半导体技术,2019,44(2):110-114. |
| 作者姓名： | 王磊 马伟宾 刘帅 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 砷化镓 场效应晶体管(FET) 栅极电阻 功率容量 功率压缩 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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