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叠层光刻胶牺牲层工艺研究
引用本文:姜政,丁桂甫,张永华,倪志萍,毛海平,王志明.叠层光刻胶牺牲层工艺研究[J].微细加工技术,2005(3):62-66.
作者姓名:姜政  丁桂甫  张永华  倪志萍  毛海平  王志明
作者单位:上海交通大学,微纳科学技术研究院,上海,200030
基金项目:国家高技术研究发展计划(863)项目资助(2004AA404260);国家自然科学基金资助项目(10377009)
摘    要:通过溅射电镀种子层前预烘胶与严格控制烘胶温度变化速率、用KOH稀溶液去胶、再用稀腐蚀体系加以轻度超声干涉去除电镀种子层和使用丙酮与F117进行应力释放等方法改进工艺后,解决了在叠层光刻胶牺牲层工艺中极易出现的烘胶龟裂、光刻胶不容易去除干净、去除电镀种子层时产生絮状物和悬空结构释放时易黏附等问题.运用叠层光刻胶牺牲层改进工艺可以制备出长4 mm,悬空高度20 μm,平面误差不超过3 μm的悬空结构.

关 键 词:光刻胶  牺牲  微加工
文章编号:1003-8213(2005)03-0062-05
收稿时间:2005-03-29
修稿时间:2005-04-20

Research of Terrace Photoresist Sacrificial Layer Technology
JIANG Zheng,DING Gui-fu, ZHANG Yong-hua, NI Zhi-ping,MAO Hai-ping, WANG Zhi-ming.Research of Terrace Photoresist Sacrificial Layer Technology[J].Microfabrication Technology,2005(3):62-66.
Authors:JIANG Zheng  DING Gui-fu  ZHANG Yong-hua  NI Zhi-ping  MAO Hai-ping  WANG Zhi-ming
Abstract:
Keywords:photoresist  sacrificial  microfabrication
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