| 硅PN结反向击穿冷阴极研究 |
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| 引用本文： | 李琼,张锻.硅PN结反向击穿冷阴极研究[J].微细加工技术,1993(3):66-73. |
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| 作者姓名： | 李琼 张锻 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，华东师范大学电子科学技术系，上海真空电子器件股份有限公司，上海真空电子器件股份有限公司 上海 200062，上海 200062，上海 200062，上海 200062，上海 200062 |
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| 摘 要： | 本文报导了硅PN结反向击穿冷阴极电子发射源的研究结果。尽管器件制造中采用的大部分工艺与标准的微电子工艺相容,但为了形成和测量超薄PN结,还引入了一些特殊方法。这些方法包括:超低能离子注入,由氧化和腐蚀构成的结区减薄工艺,快速热退火和一些对工艺进行监测的新方法。本文给出了电子发射特性,最大发射电流达到150nA,它对应的发射效率为8×10~(-6),这个数值已达到国际水平。
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| 关 键 词： | 真空微电子学 PN结 硅 冷阴极 |
RESEARCH OF COLD CATHODE MADE-UP OF REVERSE BREAKDOWN SILICON PN JUNCTION |
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| Li Qiong,Xu Jingfang,Yaun Meiying,Xue Zheng,Tang Shihao.RESEARCH OF COLD CATHODE MADE-UP OF REVERSE BREAKDOWN SILICON PN JUNCTION[J].Microfabrication Technology,1993(3):66-73. |
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| Authors: | Li Qiong Xu Jingfang Yaun Meiying Xue Zheng Tang Shihao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vacuum microelectronics ultra- thin PN junction silicon cold cathode silicon breakdown PN junction cathode |
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