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利用C6H8O7/H2O2溶液对AlxGa1-xAs/GaAs的
引用本文:李文兵,韩勤,杨晓红,杜云,朱彬,倪海乔.利用C6H8O7/H2O2溶液对AlxGa1-xAs/GaAs的[J].微细加工技术,2007(6):57-61.
作者姓名:李文兵  韩勤  杨晓红  杜云  朱彬  倪海乔
作者单位:1. 中国科学院半导体研究所光电子研发中心,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60376025);973国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB302802)
摘    要:针对MEMS(micro-electro-mechanical svstem)工艺中牺牲层的选择性腐蚀问题,提出了一种判断牺牲层是否完全腐蚀的新方法,解决了这一工艺难点.测定了C6H8O7/H2O2溶液对GaAs的腐蚀速率,并采用这种方法选择性腐蚀了一个带有GaAs牺牲层的DBR(distributed bragg reflector)结构,得到一个空气腔结构,结合GaAs的晶体结构,分析了GaAs的各向异性腐蚀特性,为实际MEMS器件的制作奠定了基础.

关 键 词:选择性腐蚀  GaAs牺牲层
文章编号:1003-8213(2007)06-0057-05
修稿时间:2007年6月15日

Study Oil Air Cavity Selectively Etched by AlxGa1-xAs/GaAs with C6H8O7/H2O2 Solution
LI Wen-bing,HAN Qin,YANG Xiao-hong,DU Yun,ZHU Bin,NI Hai-qiao.Study Oil Air Cavity Selectively Etched by AlxGa1-xAs/GaAs with C6H8O7/H2O2 Solution[J].Microfabrication Technology,2007(6):57-61.
Authors:LI Wen-bing  HAN Qin  YANG Xiao-hong  DU Yun  ZHU Bin  NI Hai-qiao
Abstract:
Keywords:MEMS
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